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650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-09 16:58

  碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料。
 
  海飞乐技术SiC肖特基势垒二极管(SBD)在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态,当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时,有很低的反向恢复时间,而且在整个工作温度范围内保持不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件,没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态,所涉及的电荷只有结耗尽区电荷,而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断电压或高温条件的器件非常有利。在高频、高温、高功率及恶劣环境下,仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。
 
  海飞乐技术碳化硅二极管广泛应用于开关电源、功率因素校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、光伏逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。

关断波形图 
关断波形图(650V/10A产品)
 
650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
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